[发明专利]晶体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510022891.1 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1812258A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 梅津一成 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/19 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可容易制造的晶体振子的制造方法。本发明的晶体振子的制造方法具备：通过在上述石英片上大致同时照射第1光和第2光来产生烧蚀，并在上述石英片上形成规定图案的沟的工序，其中所述第1光将被吸收在石英片上、并构成上述石英片的物质的能级从基底状态激励成第1激励状态；所述第2光将构成上述石英片的物质的能级从上述第1激励状态激励成第2激励状态。通过如此的晶体振子的制造方法来解决上述课题， | ||
| 搜索关键词： | 晶体 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体器件的制造方法，其特征在于，包括：通过在上述石英片上大致同时照射第1光、和第2光来产生烧蚀，并在上述石英片上形成规定图案的沟的工序，其中所述第1光将被吸收在石英片上并构成上述石英片的物质的能级从基底状态激励成第1激励状态；所述第2光将构成上述石英片的物质的能级从上述第1激励状态激励成第2激励状态。
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