[发明专利]具有堆叠内纵向偏置层结构的三端子磁传感器无效
| 申请号： | 200510022949.2 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1815753A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·R·奇尔德雷斯;小罗伯特·E·方塔纳;杰弗里·S·利勒 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;G11B5/39;G11B5/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM)，其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间，第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该TTM的气垫面(ABS)感测平面沿基极区域、集电极区域、以及发射极区域的侧面确定。基极区域包括自由层结构、被钉扎层结构、形成在自由层结构与被钉扎层结构之间的第一非磁间隔层、磁偏置自由层结构的堆叠内纵向偏置层结构、以及形成在自由层结构与堆叠内纵向偏置层结构之间的第二非磁间隔层。在该TTM的一个变型中，基极区域的层被颠倒。该TTM可包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 纵向 偏置 结构 端子 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种三端子磁传感器(TTM)，包括：基极区域；集电极区域；发射极区域；第一势垒层，其位于所述发射极区域与所述基极区域之间；第二势垒层，其位于所述集电极区域与所述基极区域之间；所述基极区域包括：自由层结构；被钉扎层结构；第一非磁间隔层，其位于所述自由层结构与所述被钉扎层结构之间；堆叠内纵向偏置层结构，其磁偏置所述自由层结构；以及第二非磁间隔层，其位于所述自由层结构与所述堆叠内纵向偏置层结构之间。
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