[发明专利]使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件无效
| 申请号： | 200510022966.6 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1815769A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 黄淳元;金泰完;郑硕才;柳龙桓;郑智元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造，且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 tin 作为 盖帽 致电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件，包括：磁致电阻材料层，其形成在下材料层上；以及TiN盖帽层，其形成在该磁致电阻材料层上。
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