[发明专利]应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件有效
| 申请号： | 200510023017.X | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1812123A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | B·多伊尔;S·达塔;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;A·马朱姆达;M·拉多萨夫耶维克;R·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 金属 氧化物 半导体 工艺 共振 器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括如下步骤：在具有硬掩模的衬底层上形成第一器件的栅极结构；在栅极结构下面形成具有一定宽度用于支撑栅极结构的沟道；在衬底层上淀积一层氧化物或介电层；在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层；和在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上面形成凹陷的结区。
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