[发明专利]碳纳米管、电子发射源、电子发射装置及其制备方法无效
| 申请号： | 200510023021.6 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1812038A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 南仲祐 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J29/04;C01B31/00;C01B31/02;B82B1/00;B82B3/00;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;王景朝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃的碳纳米管，包括该碳纳米管的电子发射源，和包括该电子发射源的电子发射装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子 发射 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管，其热分解起始温度和热分解终止温度之差小于或等于大约250℃。
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