[发明专利]一类新型聚芴衍生物－聚硅芴及其制备方法无效
| 申请号： | 200510023143.5 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1654496A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄维;范曲立;陈润锋 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C08F232/08 | 分类号： | C08F232/08;C09K11/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料技术领域，具体为一种聚芴9位上的碳被硅原子取代后形成的聚硅芴及其制备方法。本发明以工业化产品为原料，经四步高产率的反应合成了一系列硅芴单体，所得硅芴单体通过Suzuki、Heck、Sonogashira和Yamamoto等聚合方法得到了硅芴的均聚物和共聚物。该类聚合物具有良好的发光性能，是一类高效稳定的新型高分子发光材料，在电致发光、光伏电池、非线性光学和传感领域都有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 新型 衍生物 聚硅芴 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化合物，其特征在于具有如下结构：![]()
其中，R1、R2为苯基、噻吩基或吡啶基，或者为链长为C1～C18的烷基；R3为甲基、甲氧基、特丁基等邻对位取代基；Ar为苯环、噻吩、吡咯、吡啶、联吡啶、9，9’-二取代芴或噁二唑，或者为这些单元体衍生物中的一种，或者Ar不存在；主链上Ar与芴基连接处的方块表示二者的连接方式，为单键、双键或叁键。
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