[发明专利]深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法有效
| 申请号： | 200510023151.X | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1801470A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 郭志蓉;潘敏;秦天;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括：步骤S101，用TEM定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷/位错缺陷，并确定缺陷的类型。步骤S102，如果半导体器件中存在缺陷，样品用本发明的扫描电子显微镜(SEM)检测样品腐蚀处理溶液腐蚀处理检测样品；步骤S103，用扫描电子显微镜(SEM)检测样品的剖面，可以确定缺陷存在的膜层位置，和确定缺陷是否是致命缺陷。制备SEM检测样品腐蚀溶液，包括：HNO3、CH3COOH、HF、Cu(NO3)2搅拌混合形成的混合酸溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 半导体器件 致命 缺陷 确认 方法 | ||
【主权项】：
1、深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括以下步骤：步骤S101，在用MOSAID(金属-氧化物-半导体存储器件测试机)/PVC(电位衬度定位法)确认的位置，用聚焦离子束(FIB)制备透射电子显微镜(TEM)检测样品，用透射电子显微镜(TEM)定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷/位错缺陷，并确定缺陷的类型；步骤S102，如果半导体器件中存在缺陷，那么，样品用本发明的扫描电子显微镜(SEM)检测样品腐蚀处理溶液腐蚀处理检测样品，由于半导体器件中各个膜层的腐蚀速度不同，腐蚀后的样品可以清楚地显示出各膜层的结构；步骤S103，用扫描电子显微镜(SEM)检测样品的剖面，可以确定缺陷存在的膜层位置，和确定缺陷是否是致命缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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