[发明专利]一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法无效
| 申请号： | 200510023306.X | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1645643A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 侯晓远;王子君;丁训民 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H05B33/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 姚静芳;王福新 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响这两个基本过程，即影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1－10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1－10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。有机电致发光来源于电子和空穴在发光区域的复合，当在发光区域外的空穴传输区域一侧(远离发光位置，以排除金属猝灭的影响)的一个薄区域进行铝掺杂后器件不出现电致发光，说明空穴在铝掺杂区域被完全阻挡住了，实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体器件 阻挡 空穴 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，其特征是在有机层的任一位置进行薄区域1-10nm铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1～10∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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