[发明专利]以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200510023368.0 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1654427A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 彭桂花;江国健;李文兰;张宝林;庄汉锐;徐素英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种采用氮化硅镁作为烧结助剂制备高热导、高强度氮化硅陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。本发明中高热导、高强度Si3N4陶瓷是由α－Si3N4粉和MgSiN2按100∶9～3的质量比例混合，采用热压烧结技术制备的。在制备过程中，先将原料在2MPa压力下成型，然后装入石墨模具中，在10～30MPa、1700℃～1800℃、保温时间1～20小时热压烧结。本发明制备的氮化硅陶瓷具备高的热导率的同时仍可保持高的强度，其中热导率可达125Wm－1K－1、三点抗折强度σb达800MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 助剂 高热 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高热导、高强度氮化硅陶瓷的制备方法，包括配料、混合、成型和烧结，其特征在于：(1)以α-Si3N4和氮化硅镁为起始原料，两者重量比例为100∶9～3；(2)将上述步骤(1)的含有烧结助剂的粉料均匀混合后，先将原料在2MPa压力下成型，然后装入石墨模具中，在10～30MPa、1700℃～1800℃、氮气保护条件下热压烧结，烧结结束后样品随炉冷却至室温。
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