[发明专利]一种玻璃微流控芯片的低温键合方法有效

专利信息
申请号: 200510023894.7 申请日: 2005-02-06
公开(公告)号: CN1648662A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 金庆辉;庄贵生;刘菁;贾春平;赵建龙 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01N33/48 分类号: G01N33/48;G01N35/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗;(2)基片预键合,清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2 h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温。键合过程在非净化条件下完成,基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高温键合与退火。
搜索关键词: 一种 玻璃 微流控 芯片 低温 方法
【主权项】:
1.一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于包括以下步骤:(1)基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙醇和乙醇溶液、Piranha洗液、RCA1、RCA2和氨水亲和液表面清洗,每次清洗后需用去离子水冲洗出去清洗液;(2)基片预键合,将步骤(1)清洗后基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温,完成退火过程。
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