[发明专利]减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法无效
| 申请号： | 200510023987.X | 申请日： | 2005-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1825557A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王全 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法，该方法在一般STI流程中氮化硅腐蚀后，成长一层氧化物，再用各向异性干法刻蚀做回刻，只在从剖面看有台阶的地方留下氧化物，在场区和有源区交界面有断差(overhang)处形成保护性侧墙，作为保护以避免在场氧化物顶部角落形成边沟(Divot)，然后再以氢氟酸腐蚀垫氧化层。本发明方法有效地减小甚至消除浅沟槽隔离区边沟，而且能在后续的工艺(如多晶硅栅蚀刻和硅栅边墙蚀刻)过程中，大大降低发生残留现象的可能性，从而提高集成电路的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 沟槽 隔离 边沟 深度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法，其特征在于：在常规的浅沟槽隔离方法中，去除氮化硅层后，在垫氧化层和绝缘层表面形成一层氧化物层，刻蚀所述氧化物层，形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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