[发明专利]减小浅沟槽隔离区凹槽的方法无效
| 申请号： | 200510023990.1 | 申请日： | 2005-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1825559A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在浅沟槽隔离技术中，减小浅沟槽隔离区凹槽的方法，即：形成浅沟槽隔离区过程中氮化硅刻蚀后、去除光刻胶、再淀积一层氧化层、通过各向异性蚀刻形成侧墙，利用这层侧墙使隔离区边缘得到保护，使之不受氢氟酸的腐蚀，以减小或消除凹槽，从而降低由于凹槽引起的有源区漏电和寄生效应，提高集成电路的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 沟槽 隔离 凹槽 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小浅沟槽隔离区凹槽的方法，其特征在于：在传统的浅沟槽隔离方法中，在刻蚀遮蔽层之后，在所述遮蔽层及基底表面形成一氧化物层，刻蚀所述氧化物层形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
