[发明专利]倒F型天线

摘要

本发明涉及一种倒F型天线的设计，包括：一微波基板，一介质基底，一辐射金属片，一短路金属片及一馈入金属片。辐射金属片还包括连接金属片、第一子辐射金属片、第二子辐射金属片、第三子辐射金属片、匹配金属片、狭缝、短路点及馈入点；第一子辐射金属片用以产生天线的第一(低频)操作模态，第二子辐射金属片用以产生天线的第二(高频)操作模态，第三子辐射金属片则用以调整天线的第二操作模态的操作频率及操作频宽；狭缝与馈入点及短路点用以调整阻抗匹配；接地面有一缺口部分，用以增加天线的第一(低频)操作模态的操作频宽；本发明可适用于行动通讯系统GSM(880~960MHz)及DCS(1710~1880MHz)频带之频宽需求。

主权项

1.一种倒F形天线，包括有一微波基板、一介质基底、一辐射金属片、一接地面、一短路金属片、一馈入金属片，其特征在于：所述微波基板具有一第一表面及一第二表面；所述介质基底位于所述微波基板的第一表面上方，所述介质基底具有一上表面、二第一侧面及二第二侧面，其中，在外端的第一侧面靠近所述微波基板的一短边边缘且大致平行于所述边缘，而所述第二侧面则为与所述第一侧面互相垂直的侧面，且所述第一侧面的长度大于所述第二侧面；所述辐射金属片还包括一连接金属片、一第一子辐射金属片、一第二子辐射金属片、一第三子辐射金属片、一匹配金属片、一狭缝、一短路点及一馈入点，其中，所述连接金属片位于所述介质基底的所述上表面靠近所述第二侧面处，而所述第一子辐射金属片位于所述介质基底的所述第一侧面上，其一端与所述连接金属片相连接，另一端则向远离所述第二侧面方向延伸，所述第一子辐射金属片形成一较长的电流路径，用以产生所述天线的第一(低频)操作模态，所述第二子辐射金属片则位于所述介质基底的所述上表面且一端与所述连接金属片相连接，其形成一较短的电流路径，用以产生所述天线的第二(高频)操作模态，所述第三子辐射金属片位于所述介质基底的上表面，其一端与所述第一子辐射金属片相连接，另一端则靠近所述第二子辐射金属片，其产生的电容效应用以调整所述天线的所述第二操作模态的操作频率及操作频宽，而所述匹配金属片位于所述介质基底的所述上表面，且与所述连接金属片相连接，而所述狭缝、所述短路点及所述馈入点则位于所述匹配金属片上，其中所述狭缝的开口端位于所述匹配金属片的一边缘上且介于所述短路点与所述馈入点之间，另一端则向所述匹配金属片的内部延伸；所述接地面位于所述微波基板的第一表面并具有一缺口部分，所述缺口部分靠近所述微波基板的短边边缘并位于所述第一子辐射金属片下方，用以增加所述天线的第一(低频)操作模态的操作频宽；所述短路金属片的一端连接至所述接地面，另一端则与所述辐射金属片的所述短路点相连接；所述馈入金属片的一端与所述辐射金属片的所述馈入点相连接，另一端则连接至系统讯号源，用以传输讯号。