[发明专利]X射线衍射样品架的制备方法无效
| 申请号： | 200510024279.8 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1657921A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 姜传海;洪波;曹力军 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20;B28D5/00;C23F1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于材料分析测试技术领域的X射线衍射样品架的制备方法，具体步骤如下：(1)材料选择：样品架选择单晶材料，利用晶体分析仪及劳厄衍射技术确定单晶的密排晶体学平面；(2)切割单晶样品架毛坯：与单晶密排晶体学面偏离角度，切割出单晶片以及样品架毛坯；(3)化学腐蚀样品座：利用氢氟酸溶液，腐蚀样品架毛坯表面，腐蚀出凹坑，同时利用隔绝材料聚乙烯，将样品座以外区域与腐蚀溶液隔绝；(4)单晶样品架与金属片粘结：利用环氧树脂，将单晶样品架与金属片进行复合，获得X射线衍射样品架。本发明所制备的X射线衍射样品架，用于X射线衍射系统，对被测样品衍射信息不产生任何干扰，提高测量结果的可靠性，克服容易脆裂的缺点，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 衍射 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种X射线衍射样品架的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)材料选择：样品架选择单晶材料，利用晶体分析仪及劳厄衍射技术确定单晶的密排晶体学平面；(2)切割单晶样品架毛坯：与单晶密排晶体学面偏离角度，切割出单晶片以及样品架毛坯；(3)化学腐蚀样品座：利用氢氟酸溶液，腐蚀样品架毛坯表面，腐蚀出凹坑即样品座，同时利用隔绝材料聚乙烯，将样品座以外区域与腐蚀溶液隔绝；(4)单晶样品架与金属片粘结：利用环氧树脂，将单晶样品架与金属片进行复合，获得X射线衍射样品架。
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