[发明专利]一种输入级晶体管EB间带有电阻的达林顿开关晶体管无效
| 申请号： | 200510024302.3 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1658503A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金宝兴 | 申请（专利权）人： | 上海屹兴电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/04;H03K17/615 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 201908上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属半导体晶体管技术领域，具体为一种在输入级晶体管的EB间接有电阻的达林顿晶体管。该晶体管是对现有由三极管T1和T2组成的复合管的改进，即在输入级晶体管T1的基极与发射集之间连接有一个电阻R。该电阻R可用于释放T1管的贮存电荷，起到快速衰减信号的作用，同时，可控制管的开关时间在预设的范围内，并且使整个晶体管起到高压开关的作用。本发明可用于高压开关线路，如点火装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 晶体管 eb 带有 电阻 达林顿 开关 | ||
【主权项】：
1、一种达林顿开关晶体管，其特征在于由三极管(T1)、(T2)和电阻R组成，其中三极管(T1)的集电极与三极管(T2)集电极连接，三极管(T1)的发射极与三极管(T2)的基极连接；电阻R连接于三极管(T1)的基极与发射极之间。
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