[发明专利]一种高纯度电子工业用碳酸钙的制造方法无效
| 申请号： | 200510024326.9 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1830796A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 胡志彤 | 申请（专利权）人： | 胡志彤 |
| 主分类号： | C01F11/18 | 分类号： | C01F11/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200020上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯度电子工业用碳酸钙的制造方法，该方法是采用含钙化合物和含碳酸根的化合物为原料，经多步沉淀法除杂质处理后，在一定条件下进行合成反应，产生沉淀，经洗涤、干燥后得到高纯碳酸钙。该成品具有碳酸钙含量高，杂质含量低，电阻率低的特点，用于电子工业中，是优良的绝缘性填料和晶粒细化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 电子工业 碳酸钙 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度电子工业用碳酸钙的制造方法，该方法是采用化学合成法制造高纯度碳酸钙，其特征在于，所述的方法包括将含碳酸根离子CO32-的原料及含钙离子Ca2+的原料分别溶解后，经除杂质处理，过滤掉杂质的沉淀，所得的纯净的含钙的和含碳酸根的溶液进行合成反应，生成高纯度的碳酸钙，所得的碳酸钙与母液脱水分离后，用纯化水多次洗涤，经干燥后得到高纯度电子工业用碳酸钙产品。
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