[发明专利]碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法

摘要

一种用于电子器件制造技术领域的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，具体步骤如下：将碳纳米管进行表面活化处理，对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰以制成稳定分散的碳纳米管悬浮液，在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案，将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层，施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管，使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间，用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。本发明操控多条碳纳米管相互分开地并联于器件电极结构之间，从而构成场效应晶体管的沟道或者作为纳米电极引线。

主权项

1、一种碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征在于，具体步骤如下：1)将碳纳米管进行表面活化处理；2)对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰后，使其表面修饰十八烷基胺有机分子或DNA分子，制成稳定分散的碳纳米管悬浮液；3)在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案，将该电极对中相对的两电极作为场效应晶体管器件的源漏电极；4)将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层，使多条碳纳米管置于场效应晶体管器件的源漏电极之间；5)施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管，使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间；6)用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理，使碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。