[发明专利]金属薄膜中阈值能氦引入方法无效
| 申请号： | 200510024613.X | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1670242A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 施立群 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属核能技术应用领域，具体为一种金属薄膜中阈值氦能引入的方法。它是在采用真空磁控溅射沉积金属薄膜的过程中，引入氦、氩的混合气体，控制合适的氦、氩流量比，并在阴极靶材施加一合适电压，使其产生气体放电，从而得到含氦的金属薄膜。本发明方法对晶体结构无损伤，而且引入的氦分布均匀，浓度可控。本发明中，通入的混合气体中还可加入氢，实现氢、氦双引入。本发明除了可用于氚衰变模拟研究外，还可应用于离子注入氦产生多孔层方面。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 阈值 引入 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属薄膜中阈值氦能引入方法，其特征在于采用真空磁控溅射沉积薄膜的方法，具体步骤如下：当真空室内的压强小于2×10-4Pa时，通入氦、氩混合气体，并在阴极金属靶材和阴极基片之间施加放电电压，使阴极产生辉光放电；然后打开挡板，在基片上沉积薄膜，即得到含氦的金属薄膜，其中，通入的混合气体中He和Ar的流量比为0.1-48，气体压强小于2Pa；溅射电压为使E1在Ed/G(m，M)±20V之内，E1＝E0[(m2-m1)/(m2+m1)]2，G(m，M)＝4mM/(m+M)2，Ed为位移能，m、M分别为He原子和金属膜材料原子的质量；基片的温度为室温至500度。
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