[发明专利]用于避免多电源输入/输出的瞬态短路电流的上电解决方法有效
申请号: | 200510024850.6 | 申请日: | 2005-03-30 |
公开(公告)号: | CN1841730A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 俞大立;程惠娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/092;G06F13/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种避免瞬态短路电流的技术。集成电路包括具有第一电源电压电平的第一节点。第一电平移动电路连接在第一节点和第一路径之间。第二电平移动电路连接在第一节点和第二路径之间。第一路径包括偶数个反相器级而第二路径包括奇数个反相器级。第一和第二电平移动电路以第二电源电压电平输出信号。集成电路还包括串联在第二节点和参考电压之间的PMOS晶体管和NMOS晶体管,第二节点具有第二电源电压电平。PMOS晶体管的栅极连接到第一路径并且NOMS晶体管的栅极连接到第二路径。在上电期间,当所述第二节点在所述第一节点之前加电时,连接在PMOS和NMOS晶体管之间的I/O焊盘具有高阻抗。在另一具体实施例中,第一和第二路径的反相器级可以分别被替换为上拉或下拉电路。 | ||
搜索关键词: | 用于 避免 电源 输入 输出 瞬态 短路 电流 解决方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:一个第一节点,具有一个第一电源电压电平;一个第一电平移动电路,耦合在所述第一节点和一个第一路径之间,所述第一电平移动电路被配置成以一个第二电源电压电平输出信号,并且所述第一路径包括偶数个反相器级;一个第二电平移动电路,耦合在所述第一节点和一个第二路径之间,所述第二电平移动电路被配置成以所述第二电源电压电平输出信号,并且所述第二路径包括奇数个反相器级;一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管,串联耦合在一个第二节点和一个参考电压之间,所述第二节点具有所述第二电源电压电平;所述PMOS晶体管的栅极,耦合到所述第一路径;所述NOMS晶体管的栅极,耦合到所述第二路径;一个I/O焊盘,耦合在所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管之间,在上电期间,当所述第一电源电压电平在所述第二电源电压电平之前加电时,所述I/O焊盘处于高阻抗状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的