[发明专利]稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法

摘要

一种稀土钡铜氧REBCO薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导REBCO，采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜，该种膜材料在单晶氧化镁基板上过热度可达到50K以上。按照REBCO和适量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构获得REBCO块体材料。本发明工艺简单，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。

主权项

1、一种稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法，其特征在于采用具有过热性质的REBCO种膜材料，通过冷籽晶法同质外延生长高温超导块体材料，具体包括如下步骤：1)按照REBCO+(20～35)mol％RE211组分配料；2)研磨，900℃保温48小时以上进行煅烧，再次研磨、煅烧，共重复3遍；3)将煅烧后研磨好的粉末压制成前驱体片，顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶；4)将前驱体片放在MgO基板上，整个体系放入密封系统中；5)2小时升温至REBCO的包晶熔化温度以下20-50℃，保温1小时；继续加热，2小时升温至包晶温度以上30±5℃，保温1.5个小时；6)在15分钟内将温度降低至包晶熔化温度，然后以每小时0.5℃的速率降温20小时，最后淬火制得超导块体材料。