[发明专利]掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200510025560.3 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1694322A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;徐军;介明印;苏良碧;徐晓东;张连翰;何晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;C30B29/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法，该激光晶体的分子式为：Yb2xGd2(1－x) SiO5，其中x的取值范围为：0.001≤x≤0.4。其制备方法包括配料、混合粉料、烧结、籽晶、提拉法生长和退火处理等步骤。本发明掺镱硅酸钆激光晶体是一种宽调谐超快激光晶体，具有：宽发射1010－1100nm，离子反转数β＝0.5时，半高宽约为70nm；较高的热导率；晶体生长容易，物化性能稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺镱硅酸钆激光晶体，其特征在于该激光晶体的分子式为：Yb2xGd2(1-x)SiO5，其中x的取值范围为：0.001≤x≤0.4。
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