[发明专利]一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510025786.3 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1719527A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣;徐华华;孙大林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;C22C49/14 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法。本发明采用合适的溶剂将K(TCNQ)溶于适配的高分子中后涂于玻璃基片或PC基片上制成含K(TCNQ)的高分子薄膜，并对该薄膜的可逆光致变色光谱和光存储特性进行了研究。该薄膜在365nm和605nm波长处有2个特征吸收峰，可用于红光DVD(波长为650nm)和短波长(波长为405nm)可擦写光存储光盘。用波长为650nm的静态仪测试结果表明：循环次数百次后未见性能劣化，对比度大于25，已达到实用化水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 重写 波长 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于可擦重写短波光存储的薄膜材料，其特征在于由金属有机配合物K(TCNQ)分散于乙基纤维素中后涂布于基片上而制备获得，乙基纤维素与K(TCNQ)的重量比为2∶100-10∶100。
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