[发明专利]GaN/β－Ga₂O₃复合衬底的材料及其制备方法无效

申请号：	200510025799.0	申请日：	2005-05-13
公开（公告）号：	CN1694225A	公开（公告）日：	2005-11-09
发明（设计）人：	吴锋;夏长泰;张俊刚;徐军	申请（专利权）人：	中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00
代理公司：	上海新天专利代理有限公司	代理人：	张泽纯
地址：	201800上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	一种GaN/β－Ga₂O₃复合衬底的材料及其制备方法，它是在β－Ga₂O₃单晶上设有一层GaN覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用利用高真空氮化处理炉在β－Ga₂O₃单晶衬底上形成GaN覆盖层，再通过退火工艺处理，在β－Ga₂O₃单晶衬底得到晶化的GaN薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，适用于高质量GaN的外延生长。
搜索关键词：	gan ga sub 复合衬底材料及其制备方法
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【主权项】：

1、一种GaN/β-Ga2O3复合衬底材料，其特征是在β-Ga2O3单晶上设有一层GaN，构成GaN/β-Ga2O3复合衬底。

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