[发明专利]一种半导体激光器阵列的光纤耦合器及制作方法无效
| 申请号： | 200510025829.8 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1710453A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;郝寅雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用离子交换工艺在玻璃基片上制作的半导体激光器阵列的光纤耦合器件，特征在于横截面上沿平行于玻璃基片平面的方向形成周期性的若干个高折射率区域；以一个高折射率区域为中心的一个周期构成一个耦合单元，在每个耦合单元内部折射率分布具有相同的分布特征：耦合单元内沿垂直于玻璃基片方向的折射率差值较大，而沿平行于玻璃基片方向的折射率差值较小。耦合器与半导体激光器耦合时，每一个半导体激光器阵列的发光中心与一个耦合器横截面上的高折射率区域中心对准。这种耦合器用于光学系统中可以同时实现半导体激光的快、慢轴准直，因此与半导体激光器有较高的耦合效率。本耦合器件可以降低制作成本和装调难度，提高系统性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 阵列 光纤 耦合器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器阵列的光纤耦合器，其特征在于耦合器横截面上沿平行于玻璃基片平面的方向形成周期性的若干个高折射率区域；以一个高折射率区域为中心的一个周期构成一个耦合单元，在每个耦合单元内部折射率分布具有相同的分布特征。
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