[发明专利]防止半导体器件中不同材料之间产生空隙的方法

摘要

本发明提供防止半导体器件中不同材料之间产生空隙的方法，在形成存储单元的多晶硅接触栓塞之后，在多晶硅接触栓塞上形成Ti/TiN/W叠层金属层LM1构成的W层之前，在多晶硅接触栓塞上形成第二层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)层阻挡层，腐蚀LM1层的含氯的等离子体腐蚀气体不腐蚀磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)阻挡层，防止含氯的等离子体腐蚀气体腐蚀LM1层下面的多晶硅接触栓塞。因此，在形成存储单元的W层接点时，多晶硅接触栓塞与LM1层构成的W层存储单元接点(CCT)之间不会形成空隙。

主权项

1、防止半导体器件中不同材料之间产生空隙的方法，包括以下步骤：(1)，确定“与非”闪存储器中的栅后，首先淀积第一层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)(10)并回流第一层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)(10)；(2)，光刻腐蚀已淀积并回流的第一层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)(10)在存储单元接点(CCT)(16)区的部分，形成要构成接触栓塞的开口(16)；(3)，步骤2中形成的接触栓塞开口部分(16)淀积和化学机械研磨(CMP)多晶硅，形成多晶硅栓塞(17)；(4)，步骤3生成的构件上淀积和回流第二层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)(18)，第二层磷硼硅酸盐玻璃(BPSG)(18)在以后进行的LM1(19)层的腐蚀过程中，防止位于LM1层(19)下的多晶硅接触栓塞(17)被腐蚀，起到保护多晶硅接触栓塞的作用；(5)，光刻腐蚀第二层磷硼硅酸盐玻璃(18)中多晶硅接触栓塞(17)上面的部分，腐蚀到多晶硅接触栓塞上表面为止，在多晶硅接触栓塞上面形成开口(21)；(6)，步骤5形成的构件上淀积W/TiN/Ti叠层金属层LM1(19)，在要构成存储单元接点的开口中完全填充LM1层(19)，和在整个第二层磷硼硅酸盐玻璃上都覆盖LM1层(19)；和(7)，腐蚀步骤6中淀积的LM1层(19)，形成“T”字形的存储单元接点(CCT)(20)。