[发明专利]用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置及其方法无效

专利信息
申请号: 200510025998.1 申请日: 2005-05-19
公开(公告)号: CN1866390A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 郭矩阳 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C29/00
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 201203上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置及其方法,其应用于逻辑处理中,它通过一仿真单元(dummy cell)的一仿真字符线定义出一参考电流值,并将该参考电流输出,再利用一多端缓存单元(multiple-portregister file cell)发出一0或1的选择讯号,并依据该选择讯号及该参考电流而输出一单元电流;以及该单元电流及该参考电流传送至一电流比较放大器(current comparator amplifier),它感应该单元电流及该参考电流的差值,并输出以进行小容量区段刻录(session at once,SAO)。由于该差值仅有正、负参考电流两种可能,故可加快电流比较放大器的感应时间。
搜索关键词: 用于 高密度 多端 缓存 电流 式感测 装置 及其 方法
【主权项】:
1、一种用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置,其应用于在逻辑处理中,其特征在于:包括一多端缓存单元,它接收一0或1的选择讯号,并依据该选择讯号输出一单元电流;一仿真单元,它通过一仿真字符线定义出一参考电流并将的输出;以及一电流比较放大器,它对该单元电流及该参考电流进行感应,比较出其二者的差值,并将其输出以进行小容量区段刻录。
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