[发明专利]源极/漏极离子掺杂方法无效
| 申请号： | 200510026000.X | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1866480A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡南雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种源极/漏极离子掺杂方法，它利用先于半导体基底上形成栅栅极结构与栅栅极间隙壁，接着接着利用在一其上具有沟槽的介电层来定义出重离子掺杂位置，并利用在沟槽内形成呈现Y字型的多晶硅层，以该多晶硅层、栅栅极间隙壁与介电层为阻碍层，进行离子植入，而自然的形成源极/漏极离子掺杂区域，以使在集成度增加下缩小的组件依然保有足够长度信道的栅栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 离子 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种源极/漏极离子掺杂方法，其包括下列步骤：提供一半导体基底，其内形成有隔离区域；在该半导体基底上形成一栅极结构与一栅极间隙壁；在半导体基底上沉积一介电层，并对该介电层进行刻蚀，以形成数个沟槽，该沟槽显露出该栅极结构的源极/漏极位置；在该沟槽内形成一呈现Y字型的多晶硅层；以该多晶硅层、该介电层与该栅极间隙壁为掩膜进行一离子掺杂工艺，在该栅极结构形成重掺杂源/漏极掺杂区与浅掺杂源/漏极掺杂区；以及移除该多晶硅层，以完成栅极组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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