[发明专利]用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200510026157.2 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1870229A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 宗祥福;江素华 | 申请（专利权）人： | 宗祥福;江素华 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/265;H01L21/768;H01L21/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 200065上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法。本发明是在带图形沟槽的Si基衬底(20)上，淀积一层Ta薄膜；然后用等离子体浸没注入法，在Ta薄膜上注入N+离子(22)，N+离子的注入剂量在1.0－10.0×1016cm－2的范围内；并且在经过等离子体浸没注入处理后的Ta/Si基衬底结构上，淀积一层Cu薄膜。本发明也可以用等离子体浸没注入法，在Ta薄膜上注入C+离子，使C+离子的注入剂量在0.61－10.0×1016cm－2的范围内。本发明提高了集成电路Cu/Ta/Si基衬底结构中Ta阻挡层的性能。具体地说，本发明能够提供Ta阻挡层的非晶化程度，有效地控制Ta阻挡层中的非化学计量比，从而提高Ta/Cu界面的稳定性，同时所述方法还能够有效控制注入元素的深度和分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 cu ta si 衬底 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作集成电路中Cu/Ta/Si基衬底结构的方法，其特征在于，提供一个带图形沟槽的Si基衬底；在所述Si基衬底上，淀积一层Ta薄膜；用等离子体浸没注入法，在所述Ta薄膜上注入N+离子，N+离子的注入剂量在1.0-10.0×1016cm-2的范围内；在经过等离子体浸没注入处理后的Ta/Si基衬底结构上，淀积一层Cu薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
