[发明专利]铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法无效
| 申请号： | 200510026165.7 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1870230A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 方精训;李文强;伍强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法，通过连续刻蚀栓塞金属层和连线金属层后，反填介电质层，再用化学机械抛光去除和平坦化过填的介电质，实现铝连线的层内连线和层间栓塞结构。本发明可简化工艺流程，降低费用，并有利于降低层间接触电阻，提高产品性能。适用于集成电路铝后道制程工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 金属 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法，其特征在于，首先，淀积连线和栓塞金属层，在该金属层上涂布光刻胶，然后刻蚀栓塞，接着除去光刻胶后，再涂布光刻胶，然后先光刻内连线图形，再刻蚀内连线并除去光刻胶，随后一次性淀积二氧化硅介电层，最后用CMP去除并平坦化过填的介电质，实现铝连线的层内连线和层间栓塞结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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