[发明专利]一种硅化钴薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200510026357.8 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1873928A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陆杰;季芝慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅化钴薄膜的制备方法，首先在硅基板上依次淀积Ti、Co、TiN；其次，在N2中进行快速退火；再次分别在有APM和SPM的药液槽内进行选择刻蚀；最后，在N2中进行第二次快速退火。利用本发明一种硅化钴薄膜的制备方法制备的硅化钴薄膜，膜的缺陷密度少，具有更好的热稳定性，与衬底的晶格匹配，硅化物与硅有更为平整的界面，并且可减少PN结漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅化钴 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅基板上先后淀积Ti、Co、TiN；第二步，在N2中进行快速退火；第三步，在有APM和SPM的药液槽内进行选择刻蚀；第四步，在N2中进行第二次快速退火。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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