[发明专利]以比值为状态导向的存储方式及电路有效
| 申请号： | 200510026409.1 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1725369A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;洪洋;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及铁电存储器中的金属—铁电—绝缘体—半导体结构等。而实现这种存储方式时，存储器使用的单元电路也具有特定的结构要求。在这种结构下实现的独特多态存储方式，兼有抗干扰能力强和存储密度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 比值 状态 导向 存储 方式 电路 | ||
【主权项】：
1、一种存储结构单元的多态存储方式，其特征在于以下述存储单元为基础：每个存储单元内有至少2个起信息存储作用的元器件，而且该元器件具有多值编写能力，用这2个元器件的某种物理量的比值作为划分和区分不同存储状态的唯一依据；将设置的外围输出端灵敏放大器中不同的MOS的比值作为边界数，将上述2个元器件的某种物理量的比值的整个变化范围划分为多个区间，则每个区间代表一个存储状态。
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