[发明专利]荧光纳米粒微球的制备无效
| 申请号： | 200510026434.X | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1693412A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱以华;杨晓玲;张素秋;金谊;郭飞 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00;G01N33/546;A61K49/00 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 谈顺法 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出的制备荧光纳米粒微球的方法，是以聚合物微球或二氧化硅微球为核，采用层层自组装技术，在微球表面交替组装络合有镉离子或锌离子的多层聚电解质，而后引入硫离子、硒离子或碲离子，原位反应得到均匀的荧光纳米粒微球。本方法可制备出荧光纳米粒吸附量大、分布均匀、且标有多种纳米粒子的荧光微球。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 纳米 粒微球 制备 | ||
【主权项】：
1、一种荧光纳米粒微球的制备方法，所述的方法是以聚合物微球或二氧化硅微球为核，其特征在于，首先将带有相反电荷的聚电解质，分别与M2+离子络合；再采用层层自组装技术，将络合好的带相反电荷的聚电解质逐层交替组装在微球表面，其层数不受限制；而后引入X2-离子、进行原位反应得到均匀的荧光纳米粒微球；其中，M2+离子为II族的Cd2+、Zn2+中的一种或两种，X2-离子为VI族的S2-、Se2-、Te2-中的一种。
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