[发明专利]相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法无效
| 申请号： | 200510026502.2 | 申请日： | 2005-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1734674A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;洪洋;刘欣;丁益青;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C13/04;G11C7/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种利用对称位线补偿相变存储单元阵列写电流不均匀性的方法。该方法利用一根与原位线相同的连接线，按比例模拟位线的电阻分布，进而对称地补偿原位线分布电阻引起的电压降，以提高写电流的均匀性，同时用分段对称位线补偿方法进一步提高写电流的均匀性，并通过存储单元阵列中相邻列的驱动位线和补偿位线共享以减少存储单元阵列面积。本发明方法没有增加外围电路的规模和复杂性，但获得了远优于位线电流调整方法的补偿效果。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 阵列 电流 对称 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法，其特征在于利用一根与原位线相同的连接线，模拟原位线的分布电阻，进而对称地补偿原位线分布电阻引起的电压降，以提高写电流的均匀性。
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