[发明专利]基于微机电系统的力敏器件的制作方法

摘要

一种微机电系统技术领域的基于微机电系统的力敏器件的制作方法。方法如下：双面氧化过的硅衬底基片的表面清洗处理；双面甩正胶、曝光与显影及刻蚀SiO₂；去光刻胶、单面刻蚀Si；溅射FeCuNbSiB薄膜；溅射Cu底层；甩正胶、曝光、显影；电镀Cu层；去正胶及物理刻蚀去底层；溅射顶层FeCuNbSiB薄膜；甩正胶、曝光、显影；刻蚀FeCuNbSiB薄膜；去正胶、深刻蚀Si；在真空炉中300℃下磁场退火半小时。本发明具有高的灵敏度和响应速度快等优点，具有广泛的用途，薄膜材料可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好，又可以通过不同结构来提高其性能。

主权项

1、一种基于微机电系统的力敏器件的制作方法，其特征在于，具体的步骤如下：(1)、在清洗处理过的双面氧化的硅片衬底双面甩正胶，然后将光刻胶烘干，光刻胶厚度为5～6μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟；将硅片经双面曝光、显影后，在BHF腐蚀液里刻蚀二氧化硅，最后用丙酮去除所有的光刻胶，得到双面套刻对准符号及刻蚀硅的窗口；(2)、对硅片一面进行湿法刻蚀制备硅悬臂梁，采用氢氧化钾腐蚀液刻蚀硅，刻蚀深度为100μm；(3)、溅射软磁FeCuNbSiB薄膜，膜厚为2～6μm；(4)、溅射Cu底层，厚度100～200nm；(5)、甩正胶，光刻胶厚度为8μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟，曝光与显影，得到电镀Cu层的光刻胶掩膜图形；(6)、电镀Cu层，厚度为2～6μm；(7)、去正胶、用物理刻蚀方法去除Cu底层；(8)、溅射软磁FeCuNbSiB薄膜，膜厚为2～6μm；(9)、甩正胶，光刻胶厚度为8μm，光刻胶烘干温度为90～95℃，时间为30～60分钟，曝光与显影；(10)、在40℃水浴中，采用专用的腐蚀液，刻蚀FeCuNbSiB薄膜；(11)、去正胶，即形成曲折状三明治结构多层膜力敏器件；(12)、采用夹具将这一面保护好，对另一面进行硅的深刻蚀工艺，采用氢氧化钾腐蚀液刻蚀硅，直到将硅刻穿为止，最终形成了具有悬臂梁结构的力敏传感器；(13)、将得到的器件在真空炉中300℃下磁场退火半小时，最终形成了具有悬臂梁结构的力敏器件。