[发明专利]用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法无效
| 申请号： | 200510026715.5 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1881538A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 韩瑞津;江瑞星;黄振聪;刘文宏;廖勇勤;颜明辉;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;B08B3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法，它通过在去离子水注入管路上安装一离子交换过滤器，以将去离子水内的金属离子数降低至小于0.1ppb，以避免去离子水中的金属离子在硅片清洗过程在硅片表面残留并在其后的热氧化工艺中扩散，而影响氧化膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 改善 硅片 表面 金属 离子 污染 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法，它在去离子水注入的硅片清洗槽的管路上安装有至少一离子交换过滤器，随后以该去离子水对一硅片进行清洗，降低该去离子水内的金属离子在该硅片表面产生扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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