[发明专利]氮化镓基紫外－红外双色集成探测器无效
| 申请号： | 200510026720.6 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1696670A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;侯颖;甑红楼;李宁;张波;陈平平;陈效双;陈明法 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N21/31 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基紫外－红外双色集成探测器，它由在蓝宝石衬底上依次排列生长的n+－GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1－xN紫外吸收层、叉指电极组成。其中利用了MSM结构紫外探测器的叉指电极作为红外量子阱探测器的一维光栅，实现了外加偏压控制的可选择双色探测。本发明的双色探测器较之于传统的红外双色探测器有更大的光谱波段跨度，可以获得目标的特征波段图像，目标信息更加丰富准确。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 紫外 红外 集成 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种紫外—红外双色集成探测器，包括：蓝宝石衬底(1)，其特征在于：在蓝宝石衬底(1)上置有通过分子束外延或金属有机气相化学外延沉积方法依次排列生长的n+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层、叉指电极；其中AlxGa1-xN紫外吸收层中的x取值与要探测的紫外波长有关；所说的GaN基多量子阱是由以AlxGa1-xN势垒层开始，GaN/AlxGa1-xN依次交替生长50个周期组成的；其中AlxGa1-xN势垒层中的x取值与要探测的红外波长有关。
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