[发明专利]MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法无效
| 申请号： | 200510026750.7 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881625A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 靳彩霞;董志江;黎敏;丁晓民;孙卓;黄素梅 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法，所述的生长p型AlGaN载流子阻挡层采用调制掺杂生长。本发明可以降低外延生长的氮化物发光二极管LED的正向操作电压，提升发光二极管LED的开启电压和增强其反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 生长 氮化物 发光二极管 结构 外延 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2或它们的混合气体做载气，三甲基镓或三乙基镓和三甲基铟分别做Ga源和In源，N型掺杂剂为硅烷，P型掺杂剂为二茂镁，衬底为(0001)蓝宝石，反应室压力为100-500毫巴；首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底在氢气下高温处理，接着降温生长成核层；其后，升温对成核层进行退火，退火后，在高温下，外延生长GaN缓冲层，包括非故意掺杂GaN缓冲层和Si掺杂GaN缓冲层，然后在该缓冲层上外延生长器件结构，先后包括生长InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN载流子阻挡层和p型GaN欧姆接触层，其特征在于：所述的生长p型AlGaN载流子阻挡层采用调制掺杂生长。
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