[发明专利]一种具有成份梯度分布的非铅系铁电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200510026842.5 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1880275A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/624 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;宁芝华 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于一种采用化学方法制备具有成份梯度分布的非铅系铁电薄膜及其制备方法领域。本发明所述的具有成份梯度分布的Ba(Ti，Zr或Sn)O3铁电薄膜，含有Ba(Ti1－x，Zr或Snx)O3，其中X为0－0.70。本发明所涉及的梯度薄膜Ba(Zr，Ti)O3 (BZT)和Ba(Ti，Sn)O3 (BTS)属非铅体系，在制备过程中尤其在和Si工艺的集成过程中没有铅的污染，并且调整温度的范围也比较宽。与钛酸锶钡(BST)相比，在结构上：Ba(Zr，Ti)O3 (BZT)和Ba(Ti，Sn)O3 (BTS)材料属于ABO3钙钛矿结构中的B位替代，其晶粒尺寸可以在比较大的范围内调整；性能上：对于薄膜材料降低了漏导，提高了耐压特性，拓宽了梯度薄膜的应用范围。与沿厚度成份分布均匀的BZT和BTS铁电薄膜相比，本发明所述的具有成份梯度分布的Ba(Ti，Zr或Sn)O3铁电薄膜具有较大的介电常数和改善的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 成份 梯度 分布 非铅系铁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有成份梯度分布的Ba(Ti，Zr或Sn)O3铁电薄膜，含有Ba(Ti1-x，Zr或Snx)O3，其中X为0～0.70。
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