[发明专利]以青葱为模板和反应器一步合成IIB族硫化物半导体纳米材料的方法无效
| 申请号： | 200510026934.3 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1715190A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴庆生;贾润萍;丁亚平 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01G1/12 | 分类号： | C01G1/12;C01G11/02;C01G13/00;C01G9/08 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈龙梅 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 以青葱为模板和反应器一步生产IIB族硫化物半导体纳米材料的方法，涉及一种纳米材料的制备工艺。先将青葱用蒸馏水洗干净。配制浓度为0.05～0.20mol/L含汞、镉、锌等金属离子和含硫离子溶液分置于两个容器中。先将青葱根部朝下竖直放入盛有其中一种溶液的容器中，并使其根茎全部被浸没，仅露出叶片。与此同时，缓慢向叶片的孔洞中注入另一种溶液，保持叶片孔洞中溶液高度低于孔洞约2厘米，24小时后取出。最后将青葱上的产物转入无水乙醇中，得到IIB族硫化物半导体纳米材料。本发明成本低廉、工艺简单、无任何污染、产率达90％，产物具有良好光学性能。可广泛用于网状、球状、颗粒状等IIB族硫化物半导体纳米材料的合成与制备。 | ||
| 搜索关键词： | 青葱 模板 反应器 一步 合成 iib 硫化物 半导体 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.以青葱为模板和反应器一步生产IIB族硫化物半导体纳米材料的方法，其特征在于：第一步：取市售新鲜青葱，将其用蒸馏水洗涤干净；第二步：取浓度为0.05～0.20mol/L，离子摩尔数之比与产物化学式相对应的含汞、镉、锌金属离子溶液和含硫金属离子溶液，分别置于两个容器中；先将青葱根部朝下竖直放入盛有其中一种溶液的容器中，并使其根茎全部被溶液浸没，仅露出葱管状叶片，与此同时，缓慢向葱管状叶片的管腔中注入另一种溶液，保持葱管状叶片的管腔中溶液高度低于管腔顶端2～3厘米，浸养24小时后取出；第三步：取出的青葱，分别用蒸馏水和无水乙醇洗净后，将青葱上的产物转入无水乙醇中，得到IIB族硫化物半导体纳米材料。
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