[发明专利]集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液有效
| 申请号： | 200510026996.4 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1731567A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 互连 一步 化学 机械抛光 工艺 相应 纳米 抛光 | ||
【主权项】：
1、一种用于集成电路多层铜互连结构铜/钽化学机械抛光的一步抛光工艺，其特征在于：(1)晶片加载后，抛光过程中间抛光头不再离开抛光盘，直到多余铜/钽材料去除完毕，露出底层的介质层，选择性停止在介质层上，通过镶嵌工艺形成铜互连结构；(2)铜/钽多层膜体系的化学机械抛光过程中，是通过光学、声学、力学或电学中任意一种在线检测手段，以在线检测的方法，判断铜/钽多层膜体系化学机械抛光过程中的界面，并通过信号差异的反馈给抛光液加料泵指令，进行抛光液的自动切换，实现抛光液的分段加入的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
