[发明专利]半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法

摘要

一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。

主权项

1.一种半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)将真空工作室内空气排出；(2)将高纯氩气充入工作室内，使真空工作室内的气压升高，冲洗真空室；(3)关闭气源，将真空工作室再抽到高真空；(4)再打开冲气源，使真空工作室内充入高纯氩气和高纯氢气，保持真空室内的压强为零点几Pa到几个Pa；(5)打开靶和工作台的冷却水，使靶与衬底处于低温状态；(6)打开射频功率源，将射频电压加在靶和衬底之间，产生放电，利用氩离子将靶上的硅原子溅射出来，沉积到衬底上；(7)沉积后，形成薄膜，沉积时间根据样品所要求的厚度、均匀度、应力情况来确定；(8)沉积结束，关闭射频电源，关掉气源，关掉高真空阀，再打开放气阀后，即可向工作室内充入大气，待真空室内压力与外部大气压一致时，打开真空室，取出工件。