[发明专利]孔的两次曝光成像光微影方法无效
| 申请号： | 200510027258.1 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1888980A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王伟斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种孔的两次曝光成像光微影方法，其步骤包括：涂胶、软烘烤后，先进行第一次曝光，然后进行第二次曝光，然后通过照后烤、显影及硬烤完成小尺寸孔的光刻工艺。本发明可以应用于晶圆制造中0.15um以及以下的孔的光刻工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 两次 曝光 成像 光微影 方法 | ||
【主权项】：
1、一种孔的两次曝光成像光微影方法，应用于晶圆制造中0.15um以及以下的孔的光刻工艺，除进行光刻工艺的涂胶、软烘烤外，其特征是，还包括：先进行第一次曝光，然后进行第二次曝光，然后通过照后烤、显影及硬烤完成小尺寸孔的光刻工艺。
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