[发明专利]一种钛硅化物的形成方法无效
申请号: | 200510027260.9 | 申请日: | 2005-06-29 |
公开(公告)号: | CN1889239A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 周贯宇 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/4763 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种钛硅化物的形成方法,包括以下步骤:首先,进行第一次Si注入;然后,通过HF刻蚀后进行金属钛的溅射;接着,进行第二次Si注入;之后,通过第一次灯退火及选择性刻蚀;最后,通过第二次灯退火以形成钛硅化物。本发明可以改善钛硅化物方块电阻的均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 钛硅化物 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种钛硅化物的形成方法,包括以下步骤:首先,进行Si注入;然后,通过HF刻蚀后进行金属溅射;之后,通过第一次灯退火及选择性刻蚀;最后,通过第二次灯退火以形成硅化物;其特征在于,在进行金属溅射之后、第一次灯退火之前,还要进行第二次Si注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510027260.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:平板型金属异质结构纳米光波导器件
- 下一篇:洗衣机及其控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造