[发明专利]含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法无效
| 申请号： | 200510027480.1 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1891653A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 毛刚;张弓;王欣;白启宏;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/00 | 分类号： | C03C17/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘名华;楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法，包括步骤：步骤S101，用高密度等离子体淀积方法淀积非掺杂的硅玻璃(HDP USG)介质层，非掺杂的硅玻璃(PSG USG)层；步骤S102，用减压化学汽相淀积(Sub－atmosphere CVD)方法淀积含磷四乙氧基硅(P TEOS)层；步骤S103，用用化学机械抛光(CMP)平整淀积的含磷四乙氧基硅(P TEOS)层表面；步骤S104，用等离子体增强型学汽相淀积(PECVD)方法淀积氧化硅(SiO2)层；步骤S105，淀积氮氧化硅(SiON)层作为抗反射层(DRAC)。形成具有四层膜构成的叠层结构的含磷硅酸盐玻璃层间介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸盐 玻璃 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、按本发明的含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法，包括以下工艺步骤：步骤S101，用氧气(O2)和硅烷(SinH2n+2)作原料，用高密度等离子体淀积方法淀积非掺杂的硅玻璃(HDP USG)介质层1；步骤S102，用磷酸三乙酯(TEPO)和臭氧(O3)作原料，用减压化学汽相淀积(Sub-atmosphere CVD)方法淀积含磷四乙氧基硅(P TEOS，化学分子式是：Si(OC2H5)4+P)层2；步骤S103，用氧化物作(Ox)磨料，用化学机械抛光(CMP)平整淀积的含磷四乙氧基硅(P TEOS)层表面2；步骤S104，用氧气(O2)和硅烷(SinH2n+2)作原料，用等离子体增强型学汽相淀积(PECVD)方法淀积氧化硅(SiO2)层3；步骤S105，淀积氮氧化硅(SiON)层作为抗反射层(DRAC)4。
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