[发明专利]一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法无效
| 申请号： | 200510027495.8 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1892978A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;雷强;张留成 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01B13/016;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6－15sccm的速率通入惰性气体保护，以5－15℃/min的速度将炉温升到1000－1100℃，保温1－5小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了2个量级，是迄今为止报道的最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二氧化硅 同轴 纳米 电缆 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的制备方法，该方法步骤如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6-15sccm的速率通入惰性气体保护，以5-15℃/min的速度将炉温升到1000-1100℃，保温1-5小时后自然降到室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
