[发明专利]利用独立的源极形成的CMOS图像传感器件和方法

摘要

本发明提供了一种用于制造图像传感器的方法。该方法包括：在衬底中形成第一阱和第二阱；在所述衬底上形成栅极氧化物层；以及在所述栅极氧化物层上沉积第一栅区和第二栅区。所述第一栅区与所述第一阱相关联，所述第二栅区与所述第二阱相关联。此外，该方法包括在所述衬底中形成第三阱；注入第一多个离子，以在所述第一阱中形成第一轻掺杂源区和第一轻掺杂漏区；注入第二多个离子，以在所述第二阱中至少形成第二轻掺杂漏区；以及注入第三多个离子，以在所述第二阱中形成源极。

主权项

1.一种用于制造图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底中形成一个第一阱和一个第二阱；在所述衬底上形成一个栅极氧化物层；在所述栅极氧化物层上沉积一个第一栅区和一个第二栅区，所述第一栅区与所述第一阱相关联，所述第二栅区与所述第二阱相关联；在所述衬底中形成一个第三阱；注入第一多个离子，以在所述第一阱中形成一个第一轻掺杂源区和一个第一轻掺杂漏区；注入第二多个离子，以在所述第二阱中至少形成一个第二轻掺杂漏区；注入第三多个离子，以在所述第二阱中形成一个源极；其中：所述第一阱和所述第二阱与CMOS相关联；所述第三阱与一个光电二极管相关联；所述注入第二多个离子的步骤和所述注入第三多个离子的步骤是两个独立的步骤；所述注入第三多个离子的步骤与范围为从40keV到80KeV的第一注入能量和范围为从103cm-2到105cm-2的第一注入剂量相关联。