[发明专利]基于电阻变化的非挥发性存储器、切换方法及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于电阻变化的非挥发性存储器、切换方法及制备方法，它是以Pt－Re_1－xA_xMnO₃－Ag的三明治结构为基础单元，其中0.05＜x＜0.95，A为Ca或Ba，Re为La或Pr，其特征在于在顶电极Ag阵列中选择双节点A和A、B两点间间距大于薄膜厚度5倍以上；它们与底电极Pt阵列中的O点是通过金属导线连接的；电脉冲的作用是通过所选择的双节点施加的。通过改变电脉冲电压大小的方法进行5种形式切换而制作时用化学配比配料，最后SPS烧结作为靶材，采用脉冲激光沉积技术沉积薄膜，沉积在底电极上，制成三明治基础单元的。

主权项

1、一种基于电阻变化的非挥发性存储器，其特征在于以Pt-Re1-xAxMnO3-Ag的三明治结构为基础单元，其中0.05＜x＜0.95，A为Ca或Ba，Re为La或Pr；在顶电极Ag阵列中选择双节点A和B，A、B两点间间距大于薄膜厚度5倍以上；它们与底电极Pt阵列中的O点是通过金属导线连接的；电脉冲的作用是通过所选择的双节点施加的。