[发明专利]相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法无效
| 申请号： | 200510027622.4 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1838312A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;洪洋;丁益青;刘欣;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C7/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法。其中包括步进字线电压补偿和反馈式字线电压补偿两种方式，该方法是利用字线电压对存储单元内选通开关的输出电阻进行调制，使得不同行的选通开关具有不同的等效输出电阻，补偿相应的位线分布电阻，从而提高不同单元写电流的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 阵列 电流 电压 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法，其特征是利用字线电压对存储单元内选通开关的输出电阻进行调制，使得不同行的选通开关具有不同的等效输出电阻，补偿相应的位线分布电阻，从而提高不同单元写电流的均匀性。
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