[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺无效
| 申请号： | 200510027658.2 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1897230A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 伍宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺，包括以下步骤：在常规工艺流程中形成自对准硅化物电极后，淀积一层层间膜氧化层，再利用化学机械平面化工艺CMP将栅和侧墙上的氧化层去除，然后，通过一种高选择比刻蚀将氮化硅侧墙去除，从而在原来侧墙的区域留下一个空洞，接着，再淀积一层层间膜氧化层，之后，继续常规工艺的后续步骤。本发明在形成自对准硅化物电极salicide之后将氮化硅侧墙去除，以中空(空气的k＝1)取而代之，从而通过降低栅漏边缘电容Cfringing来降低金属氧化物半导体MOS场效应管栅漏间寄生电容，提高电路的速度性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在常规工艺流程中形成自对准硅化物电极；第二步，淀积一层层间膜氧化层；第三步，利用化学机械平面化工艺CMP将栅和侧墙上的氧化层去除；第四步，通过一种高选择比刻蚀将氮化硅侧墙去除，从而在原来侧墙的区域留下一个空洞；第五步，再淀积一层层间膜氧化层；第六步，继续常规工艺的后续步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
