[发明专利]一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法

摘要

本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In₂O₃∶Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In₂O₃∶Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In₂O₃∶Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。

主权项

1、一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极，其特征是该电极由铂钨共掺氧化铟即In2O3:Pt，W/掺钨氧化铟即IWO两层组成，其中In2O3:Pt，W层厚0.1-10nm，IWO层厚50-200nm，其功函数为4.5-5.5eV。